جميع دروس الترانزيستور هنا ان شاء الله

الموضوع في 'الصيانة و الهردوير' بواسطة saberSIYANA, بتاريخ ‏30 مارس 2008.

حالة الموضوع:
مغلق
  1. saberSIYANA

    saberSIYANA كبير مراقبي الصيانة و الهردوير طاقم الإدارة

    إنضم إلينا في:
    ‏7 أوت 2007
    المشاركات:
    10.649
    الإعجابات المتلقاة:
    34.547
      30-03-2008 22:29
    [​IMG]
    [​IMG]

    الترانزيستور تاثير المجال(FET)FIELD-EFECT)
    هو عنصر كهربائي يفضل استعماله كمفتاح او كمكبر للاشارات الصغيره...

    أنواعه-يشكل ترانزستور FET مجموعتين

    *ذو الطبقه الحاجزه PN-FET
    ذو الاكسده المعدنيه MOSFET وهذا النوع هو ما يهمنا في مجال صيانه شاشه الكمبيوتر

    [​IMG]


    وينقسم المجموعتان الى صنفين
    *موجب القنال P
    *سالب القنال N

    [​IMG]

    البنيه الداخليه وطريقه العمل
    بعكس التركيب الداخلي للترانزيستور ثنائي القطبين و الذي يتكون من طبقتين للشحنات الكترونيات و الثقو ب او سالب و موجب

    يتكون ترانزيستور فات FET من طبقه واحده اما P او N ومن هنا ترجع تسميته باحادي القطبين
    تتكون بنيه ترانزيستور فات FET
    من مساحه نصف موصوله بشكل قضيب وهي ماده السيليكون وعلى يمين ويسار القضيب تتكون مناطق حاجزه وبين اعلى واسفل هذا القضيب تتكون قنال الاتصال (ماده N موصوله دون طبقه حاجزه)وتشكل هذه القنال المصرف(Drain)و المنبع (source)....
    وعلى جوانب القضيب تم مزج منتقتان من ماده p موصولتين ومرتبطتين ببعضهم البعض وتشكلان البوابه(Gate)ومن هنا تاتي تسميه الترانزيستورPN-FET

    فاذا تم توصيل جهد بمساحه بلوريه موصوله بماده السيليكونN
    اي المصرف (Drain)و المنبع (source) فيسري بها ت
    يار كهروبائيIDعبر قنال في هذه المساحهوذلك بحكم الجهد و المقاومه في هذه المساحه وفي حاله توصيل جهد سلبي بين البوابه(Drain)و المنبع (source).فتكون قطبيه طبقتي PN باتجاه حاجز.
    وتتكون بذلك داخل الطبقتين مناطق حاجزه بحيث تمنع مرور التيار بهذا الاتجاه .
    وتتوسع المناطق الحاجزه بينما يضيق قطر ممر التيار في القنال.

    وكل ما ارتفع الجهد السلبي(UGS-)كلما توسعت المناطق الحاجزه و النتيجه لذلك ان قطر القنال اي ممر التيار يصبح اضيق فاضيق اي ان قيمه المقاوم(RDS)في ممر التيارين المصرف (Drain)و المنبع (source) (لصنفN-FET)تتعلق بقيمه الجهد السلبي للبوابهه(Gate) وبذلك يمكن التحكم بقيمه المقاوم وذلك على مستوى واسع

    واستنادا لقوانين اومفيمكن التحكم بالجهد او التيار لو تم استبدال قطبيه الجهود.



    [​IMG]

    بعبارات اخرى القنال من صنف-N هي المجال الموصل لهذا FET ويوجه تيار المجال هذا بجهد البوابه( في هذه الحاله جهد سالب)
    واذا ارتفع الجهد السالب في البوابهفتتمدد الطبقه الحاجزه وينخفض تيار هذا المجال
    والاستنتاج ان تغيير عرض الطبقه الحاجزه يجري دون قدره تقريبا...

    بالمقارنه مع الترانزيستور الثنائي القطبيه المعتاد فلترانزيستور الاحادي القطبيه ميزات ايجابيه كثيره

    1.اقتصادي اكثر...
    2.يعمل بجهد تشغيل منخفض...
    3.أحجام صغيره وتركبه يتوافق مع الترانزيستور ثنائي القطبيه...
    4.يكفي توجيهه بالجهد باختلاف ثنائي القطبيه الذي يوجه بقدره...
    5.مقاومه المدخل عاليه ما بين (9^10
    ل FETذي
    6.ليس هنالك اهميه لقطبيه التوجيه...
    7.صفاء ونقاء عالي في تقنيه الموجات لا يصلها ثنائي القطبيه المالوف..


    [​IMG]


    [​IMG]


    [​IMG]


    [​IMG]

    يتبع ان شاء الله


    saberSIYANA
     
    4 شخص معجب بهذا.

جاري تحميل الصفحة...
مواضيع مشابهة التاريخ
[B]جميع أنواع الرامات RAM [/B] ‏24 نوفمبر 2016
حالة الموضوع:
مغلق

مشاركة هذه الصفحة

جاري تحميل الصفحة...